氧化沟工艺 百度百科化学机械平坦化 维基百科，自由的百科全书
222VR型氧化沟脱氮工艺VR氧化沟沟型宛如通常的环形跑道，有一小岛的直壁结构，氧化沟分为两个容积相当的部分，其水平形式如反向的英文字母C，污水处理通过二道拍门和二道出流堰交替起闭进行连续和恒水位运行。化学机械平坦化 （英語： Chemical Mechanical Planarization CMP ），又称化学机械研磨（ Chemical Mechanical Polishing ），是半导体器件制造工艺中的一种技术，使用化學腐蝕及機械力对加工過程中的硅晶圓或其它衬底材料进行平坦化处理。
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臭氧氧化在水处理过程中，投加量怎么确定 百度知道开发票：氮氧化硅工艺 制备方法 配方研究 专业提供
06 16 水处理臭氧发生器中臭氧投加量是怎么配置的 04 16 臭氧在水处理中的投加方法 1 11 09 污水处理具体是怎么把臭氧投加到水中去的？ 6 12 17 臭氧在水处理中的操作方式 12 05 如何选择用于水处理臭氧发生器，臭氧量与水的体积的关系，谢谢！23 氮氧化硅合成研究进展 张俊宝 雷廷权 材料科学与工艺 年4期 24 常压化学气相沉积法的氮氧化硅薄膜性能的研究 孟祥森 马青松 硅酸盐通报 年2期 25 SiON薄膜中氢的研究 魏文霖 孟祥森 材料导
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微电子制造技术氧化硅的湿法刻蚀 图文 百度文库硅的氧化 豆丁网 分享文档 发现价值
这一步应避免在多 晶硅周围的栅氧化层形成微槽（见图） 微电子制造技术 电信学院 微电子学系 40 离子 氧化硅中的微槽 Resist Poly 栅氧化层 Substrate Figure 多晶硅栅刻蚀过程中不期望的微槽 微电子制造技术 电信学院 微电子学系 41 表169 多晶硅刻蚀具体的反应方程式为： Si 固体）＋O2SiO2 固体）硅与水蒸气： Si 固体）＋H2OSiO2 固体） 2H2 下表是三种热氧化方法的特点： 硅热氧化三种主要工艺的特点速度 均匀机构性 结构 掩蔽性 水温 较好中等 基本满足 95 水汽 快 疏松较差 102 实际生产过程中
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金属硅的酸洗和氧化提纯 《厦门大学学报 自然科学版 经典半导体制造工艺 页）
【摘要】：为了降低金属硅酸洗的后续工艺难度 在成熟的常温酸洗技术的基础上加上湿氧氧化新技术对金属硅进行提纯酸洗主要作用是去除大部分裸露在金属硅颗粒表面的金属杂质 而湿氧氧化后 使颗粒内部分凝系数 在硅和二氧化硅系统中的分凝系数 较小的硼在高温下扩散进入二氧化硅中 再腐蚀 氧化硅的自然生成 2 砷化镓相对于硅的优点是什么？（章）（ 5 分） 答：砷化镓具有比硅更高的电子迁移率，因此多数载流子也移动得比硅中的更快。砷化镓也有减小寄生电容和信号损耗的特性。这些特性使得集成电路的速度比由硅制成的电路更快
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中钨在线 硅的冶炼工艺 金属硅 360百科
21、氧化硅矿物冶炼金属硅的 过程是无渣过程，化学硅冶炼对硅石的选用较严格，不仅杂质含量要少，还要求有高的机械强度、足够的热稳定性，适宜的粒度组成。化学用硅熔炼采用硅石。天然形态的氧化硅或者是以独立的石英矿物存在，或者是以 21、氧化硅矿物冶炼金属硅的 过程是无渣过程，化学硅冶炼对硅石的选用较严格，不仅杂质含量要少，还要求有高的机械强度、足够的热稳定性，适宜的粒度组成。化学用硅熔炼采用硅石。天然形态的氧化硅或者是以独立的石英矿物存在，或者是以
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关于印染废水处理的工艺介绍 知乎一种高选择比氮氧化硅湿法腐蚀工艺 豆丁网
目前可用于印染废水处理的工艺主要是以物理化学法和生物法为主的。印染废水是指以加工棉、麻、化学纤维等为主的印染厂排出的废水，具有水量大、有机污染物浓度高、色度深、ph值变化大等特点，水质变化较大。印染废水处理一般要经过二级处理，其出水水质仍不能达到排放以及回用标准的 1．3．2．3，氧化硅的腐蚀 氧化硅腐蚀是湿法腐蚀中应用多的工艺，这种工艺都是基于HF和Si02的反 应：虽然对于化学反应方程式的写法都一样，但制备氧化硅工艺上的差别造成了 HF对不同种类氧化硅具有不同的腐蚀速率。
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硅集成电路工艺基础2 图文 百度文库化学用硅的冶炼操纵工艺简介 金属冶金 中国百科网
硅集成电路工艺基础2 21、SiO2的结构及性质22、SiO2的作用23、硅的热氧化生长动力学24、决定氧化速率常数和影响氧化速率的各种因素25、热氧化过程中的杂质再分布26、初 化学用硅的冶炼操纵工艺简介 化学用硅是指用于有机硅和多晶硅生产的产业硅、具有耐高温、电尽缘、耐辐射、防水等独特性能。 随着科学技术的不断发展，化学用硅用于有机硅和半导体生产等领域不断拓宽，化学用硅作为高新技术领域和重要基础产业得到广泛应用。
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低温加硅直接熔炼铸造铝合金的工艺试验 中国期刊网集成电路制造工艺之氧化 豆丁网
铝硅合金的制备虽然现在有电热还原法、电解法，但目前比较常用的方法还是熔配法，采用优良的熔配工艺对稳定产品质量、提高生产效率、降低能源消耗都有很大的好处。 一、低温加硅直接熔炼铸造铝合金的工艺 这些特点对MOS器件和其他器件都是关重要的。 231 硅的热氧化 15 氧化 硅热氧化生长的SiO ，随反应的进行，硅表面位臵不断向硅内方向移动。 无定形SiO 的分子密度CSiO ＝ /cm 中所含硅的原子密度也为C Si ＝ 22 /cm 。
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臭氧催化氧化塔深度处理工艺及设备 北极星水处理网中频感应电炉亚氧化法炼钢工艺 机床 中国百科网
ClO2催化氧化工艺的 特点 1）ClO2氧化能力持久；2）ClO2与有机物反应几乎不产生发散性有机氯化物，不产生有致癌作用的三氯甲烷 臭氧催化氧化塔 中频感应电炉亚氧化法炼钢工艺 作者：高伟华 〖提要〗通过比较氧化法和不氧化法两种中频感应电炉炼钢工艺方法的优劣，提出了亚氧化法炼钢工艺，该工艺既具有氧化法炼钢工艺氧化沸腾往气往夹杂的过程，以进步熔炼质量，又具有不氧化法炼钢过程简单轻易控制的
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还原物 百度百科氧化铝生产工艺 百度百科
加氢还原法则普遍被认为是还原物绿色清洁生产的新工艺。化加氢还原工艺以二硝基苯和氢气为原料，是一种清洁环保工艺，生产成本较低，该工艺又分为间歇催化加氢、连续催化加氢。 该工艺为国家推行的先进工艺。《氧化铝生产工艺》是年化学工业出版社出版的图书，作者是毕诗文。本书全面介绍了拜耳法和烧结法生产氧化铝的基本理论、工艺和新技术，总结和归纳了氧化铝研究领域的新成果，根据我国铝土矿资源状况，提出了我国氧化铝工业可持续发展的方向。
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在沟槽内部表面形成场氧化硅的方法氧化钼生产工艺百科 氧化钼生产工艺知识大全 上海有色
在沟槽内部表面形成场氧化硅的方法 【技术领域】 本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种在沟槽内部表面形成 场氧化硅的方法。【背景技术】 如图1所示，是现有具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的结构示意图；在硅衬底2上形 成有硅外延层4 在硅外延层4中形成有沟槽。这说明，氧化钼的钼回收率是比较安稳的。 2、氧化钼的复原 不锈钢炉猜中的铬、硅、碳等元素的很多存在，使得氧化钼在炉料的不断熔化和氧化期温度的不断进步中得到根本复原，这一点从实验炉号的全熔分析和氧化钼分析的成果得到证明，见表6所示。
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制程中氮化硅薄膜及相应氧化硅膜腐蚀工艺和机理研究 磷化工艺 百度百科
随着工艺能力的提高，近湿法刻蚀的工艺已在复苏，目前常用的湿法刻 蚀工艺有以下几种：对硅的腐蚀；对氧化硅的腐蚀：对氮化硅的腐蚀。 1S 2．3．2．2 硅的湿法腐蚀 对于半导体制造有时候需要再硅衬底上腐蚀深的图 形。磷化工艺过程是一种化学与电化学反应形成磷酸盐化学转化膜的过程，所形成的磷酸盐转化膜称之为磷化膜。磷化的目的主要是：给基体金属提供保护，在一定程度上防止金属被腐蚀；用于涂漆前打底，提高漆膜层的附着力与防腐蚀能力；在金属冷加工工艺中起减摩润滑使用。
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